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英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，為現(xiàn)代汽車應(yīng)用提供更高效率

  • 英飛凌科技股份公司近日推出采用?OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC?封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù)，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡單、緊湊的雙面PCB設(shè)計(jì)，并更大程度地降低未來汽車電源設(shè)計(jì)的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此，SSO10T TSC適用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向（EPS）、電子機(jī)械制動(dòng)（EMB）、配電、無刷直流驅(qū)動(dòng)器（BLDC）、安全開關(guān)、反向電池和DCDC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。SSO10T TSC的占板面積為5
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基于TSC/TCR式消弧線圈的晶閘管控制電路的設(shè)計(jì)方案

  • 0引言單相接地故障是電力系統(tǒng)最常見的故障。中性點(diǎn)不接地電網(wǎng)發(fā)生單相接地故障時(shí)，可帶故障運(yùn)行2小時(shí)。但是如果電網(wǎng)中的對地電容電流較大（如電纜線路），就會(huì)在接地點(diǎn)形成較大電弧，對電力系統(tǒng)的安全運(yùn)行造成威脅。應(yīng)...
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基于TSC控制技術(shù)的可控硅開關(guān)分析

  • 摘要 分析了基于TSC控制技術(shù)的可控硅開關(guān)的現(xiàn)階段存在的問題。介紹了晶閘管投切電容式消弧線圈中晶閘管的選型，以避免不同大小的電抗器對整個(gè)電路的沖擊和存在的電流突變，以保證可控硅開關(guān)更快、更好地投切。
    關(guān)鍵
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